成立于1991年在Braun Research的Braun Centrent中的分子束外延(MBE)实验室具有成功的长轨道记录,在从周期表III族的III族的元素中生长超纯晶状体异质结构。自2008年以来,我们的MBE实验室持有世界纪录电子迁移率'作为生长',超纯Algaas / GaAs二维电子气体(2deg)。目前用于两种MBE系统用于种植高质量的AlgaAs / GaAs异质结构以及InAs / Gasb / Alsb晶片,其中2deg嵌入INAS量子井中。这些结构由浓缩物理物理系和全球范围内的众多群体用于量子霍尔效应,Majorana Anyons,拓扑绝缘体等。演变MBE技术是一种用于生长纯半导体晶体的最先进的方法,也可以是唯一一个能够长纯半导体薄膜的唯一一个,背景杂质浓度远低于5×1013.厘米-3。该技术允许以分辨率的分辨率构建半导体结构,从而实现复杂的“带间隙工程”以及在2D平面中的所需可控电位障碍时引入用于相关电子运动的高级研究。