首页

电子束光刻实验室

利用电子束光刻技术(EBL)在III-V材料上制备亚微米活性区、空桥和T型门等超小结构。EBL用于研究集成电路的缩放极限,以及在非常小的维度上研究量子效应和其他新的物理现象。

一个典型的应用是对Aharanov-Bohm效应的研究,即电子沿两条长度约为一微米的不同路径运动时,根据外加磁场的强度,会产生建设性或破坏性的干涉。其他的应用包括研究弹道电子效应的装置,极小结构中电子能级的量子化,以及单电子晶体管。要看到这些效应通常需要最小特征尺寸为20纳米或更小,以及在低温下操作。